通过CVD的方法，我们合成了高度绝缘的BOS薄膜样品，电阻值高达12 TΩ，相应FET器件的开关比为10⁸，阈值电压区间范围为4~14 V，明显区别于文献中的负值，表明了我们的样品可以用作于实际的功能器件。相应文献发表在Nano Research 上，https://doi.org/10.1007/s12274-022-5046-3。